ショットキーダイオードおよびPNダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-128058
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256670
出願日： 2011年06月08日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：

【課題】耐量の大きいダイオードを提供する。【解決手段】ショットキーダイオードであって、窒化物半導体で形成された半導体層と、半導体層上に形成され、半導体層にショットキー接続されたショットキー電極と、を備え、ショットキーダイオードに逆バイアスがかかったときに、ショットキー電極の端部の下方の半導体層において空乏化する領域は、ショットキー電極の他の一部の下方の半導体層において空乏化する領域より長いショットキーダイオードを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ショットキーダイオードであって、窒化物半導体で形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、前記半導体層にショットキー接続されたショットキー電極と、を備え、前記ショットキーダイオードに逆バイアスがかかったときに、前記ショットキー電極の端部の下方の前記半導体層において空乏化する領域は、前記ショットキー電極の他の一部の下方の前記半導体層において空乏化する領域より長いショットキーダイオード。

IPC (6件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 21/329 , H01L 29/06

FI (6件)：

H01L29/48 F , H01L29/48 D , H01L29/91 D , H01L29/91 F , H01L29/91 B , H01L29/06 301M

Fターム (16件)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104DD06 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104FF03 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (9件)

ショットキーダイオードの性能を向上させる第2のショットキー接触金属層
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-541250 出願人：ヴェロックスセミコンダクターコーポレーション
特開昭58-213478
特開昭61-094379

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