特許
J-GLOBAL ID：201603006236531340

半導体装置

発明者：
波多野 薫

波多野 薫 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-130066
公開番号（公開出願番号）：特開2016-192569
出願日： 2016年06月30日
公開日（公表日）： 2016年11月10日
要約：
【課題】信頼性の優れた酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。又は、信頼性の優れた酸化物半導体を用いた発光装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体を用いた半導体素子と共に封止される第2の電極は、その活性が損なわれ難い。活性な第2の電極と半導体装置に残存および/又は装置外から浸入する水分が反応して生じる水素イオンおよび/又は水素分子が、酸化物半導体のキャリア濃度を高め、半導体装置の信頼性を損なう原因となる。一方の面を有機層と接する第2の電極の他方の面の側に、水素イオンおよび/又は水素分子の吸着層を設ければよい。また、第2の電極に水素イオンおよび/又は水素分子が透過する開口部を設ければよい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
画素と、駆動回路と、が設けられた第1の基板と、 前記画素及び前記駆動回路を囲むように設けられたシール材により、前記第1の基板に固定された第2の基板と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間に設けられた、ゼオライト及び/またはパラジウムを含む層と、を有し、 前記画素は、エンハンスメント型の第1のトランジスタと、発光素子と、を有し、 前記駆動回路は、エンハンスメント型の第2のトランジスタを有し、 前記発光素子は、前記第1のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続された第1の電極、前記第1の電極と重なる領域を有する第2の電極、及び前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持された発光物質を含む有機層を有し、 前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、第1の酸化物半導体層に設けられ、 前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、第2の酸化物半導体層に設けられ、 前記第2のトランジスタは、バックゲート電極を有し、 前記第1の酸化物半導体層は、表面に垂直な方向に沿うようにc軸が配向した結晶領域を有し、 前記第1の酸化物半導体層は、第3の酸化物半導体層と、前記第3の酸化物半導体層上に接して設けられ、前記第3の酸化物半導体層よりも膜厚が厚い第4の酸化物半導体層と、を有し、 前記第3の酸化物半導体層と前記第4の酸化物半導体層とは、Inと、Gaと、Znとを有し、 前記第3の酸化物半導体層の表面を含む領域は、結晶領域を有し、 前記第4の酸化物半導体層は、前記第3の酸化物半導体層の表面から上方に結晶成長した領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H05B 33/04
FI (6件)：
H01L29/78 612B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617N ,  H05B33/04
Fターム (70件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC23 ,  3K107EE04 ,  3K107EE42 ,  3K107FF15 ,  3K107HH05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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