半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：福岡昌浩 , 阿仁屋節雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-188429
公開番号（公開出願番号）：特開2016-063007
出願日： 2014年09月17日
公開日（公表日）： 2016年04月25日
要約：

【課題】ボラジン環骨格を含む硼窒化膜の成膜レートを向上させる。【解決手段】基板に対してリガンドを含むボラジン系ガスを供給する工程と、基板に対してリガンドを脱離させるリガンド脱離ガスを供給する工程と、を同時に行う工程を、ボラジン系ガスにおけるボラジン環骨格が保持される条件下で、間欠的に行うことで、基板上に、ボラジン環骨格を有し、硼素および窒素を含む膜を形成する工程を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板に対してリガンドを含むボラジン系ガスを供給する工程と、前記基板に対して前記リガンドを脱離させるリガンド脱離ガスを供給する工程と、を同時に行う工程を、前記ボラジン系ガスにおけるボラジン環骨格が保持される条件下で、間欠的に行うことで、前記基板上に、ボラジン環骨格を有し、硼素および窒素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , C23C 16/38 , C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/318 B , H01L21/31 C , C23C16/38 , C23C16/455

Fターム (58件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA39 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030EA04 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030KA24 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045BB09 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EC05 , 5F045EE13 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EF11 , 5F045EG02 , 5F045EH12 , 5F045EH18 , 5F045EK06 , 5F058BC07 , 5F058BC09 , 5F058BD09 , 5F058BD12 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF27 , 5F058BF36 , 5F058BF37 , 5F058BG01 , 5F058BG02

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-199536 出願人：株式会社日立国際電気
特開昭61-266576
成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-035472 出願人：東京エレクトロン株式会社

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