特許
J-GLOBAL ID：201403088803982406

成膜方法及び成膜装置

発明者：
鈴木 啓介

鈴木 啓介 について

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門永 健太郎

門永 健太郎 について

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ヴォルカー・ヘメル

ヴォルカー・ヘメル について

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ベルンハルド・ゾベル

ベルンハルド・ゾベル について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-035472
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007378
出願日： 2013年02月26日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
要約：
【課題】成膜レートを高く維持しつつ膜厚の面内均一性も改善することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】原料ガスと反応ガスとを用いて真空引き可能になされた処理容器4内で被処理体Wの表面に薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスと不活性ガスとをガス溜め部33で混合して混合ガスを形成すると共に混合ガスと反応ガスとを処理容器内へ供給して薄膜を形成するようにする。これにより、成膜レートを高く維持しつつ膜厚の面内均一性も改善する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
原料ガスと反応ガスとを用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、 前記原料ガスと不活性ガスとをガス溜め部で混合して混合ガスを形成すると共に前記混合ガスと前記反応ガスとを前記処理容器内へ供給して前記薄膜を形成するようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/455
FI (4件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/31 C ,  H01L21/318 B ,  C23C16/455
Fターム (35件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA06 ,  4K030JA11 ,  4K030KA09 ,  4K030KA24 ,  4K030KA28 ,  4K030KA41 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045BB02 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE19 ,  5F045EF09 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
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