特許
J-GLOBAL ID：201603006501809216
半導体素子の製造方法、半導体素子の製造デバイス、半導体素子、及び該半導体素子を用いてなる熱電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松山 裕一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-135553
公開番号（公開出願番号）：特開2016-015361
出願日： 2014年07月01日
公開日（公表日）： 2016年01月28日
要約：
【課題】簡便で、ドーピングの制御がしやすく、且つ、ドーピングの効果が高く、p型-n型の半導体素子の製造が可能な半導体素子の製造方法、半導体素子の製造デバイス、半導体素子、及び該半導体素子を用いてなる熱電変換素子を提供すること。【解決手段】2つの電極間に、一方の電極に近接して素子前駆体を載置すると共にイオン含有物を該素子前駆体と他方の電極間に置き、所定電圧を印加する、イオンドーピング工程を含み、上記素子前駆体がカーボンナノチューブ、層状2次元材料、又はナノワイヤーからなる成形体であることを特徴とするp型-n型制御可能な半導体素子の製造方法、上記製造方法に用いることができる半導体素子の製造デバイス、上記製造方法により得られる半導体素子、上記半導体素子を用いてなる熱電変換素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
2つの電極間に、一方の電極に近接して素子前駆体を載置すると共にイオン含有物を該素子前駆体と他方の電極間に置き、所定電圧を印加する、イオンドーピング工程を含み、
上記素子前駆体がカーボンナノチューブ、層状2次元材料、又はナノワイヤーからなる成形体である
ことを特徴とするp型-n型制御可能な半導体素子の製造方法。
IPC (10件)：
H01L 35/34
, H01L 35/22
, H01L 35/24
, H01L 35/14
, H01L 51/30
, H01L 51/40
, H01L 51/00
, H02N 11/00
, B82Y 30/00
, B82Y 40/00
H01L35/34
, H01L35/22
, H01L35/24
, H01L35/14
, H01L29/28 220A
, H01L29/28 250E
, H01L29/28 310A
, H01L29/28 310E
, H01L29/28 310L
, H01L29/28 100Z
, H02N11/00 A
, B82Y30/00
, B82Y40/00
