チャネル領域の平滑な表面を有するシリコンカーバイドデバイスを作製する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：特許業務法人浅村特許事務所 , 浅村皓 , 浅村肇 , 畑中孝之 , 大日方和幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-111459
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178602
特許番号：特許第6008571号
出願日： 2012年05月15日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコンカーバイドのMOSベースデバイスであって、 p型導電ウェル領域と、前記p型導電ウェル領域中の埋込みp+導電領域と、前記埋込みp+導電領域上のn+導電領域と、前記埋込みp+導電領域と前記n+導電領域に隣接する前記デバイスのチャネル領域であって、前記デバイスの前記チャネル領域は1.0Å未満の2乗平均平方根(RMS)表面粗さを有する、チャネル領域とを備え、前記チャネル領域が前記デバイスの前記チャネル領域上のn-シリコンカーバイドの領域を含み、前記n-シリコンカーバイドの領域の存在が前記チャネル領域の表面粗さを減少させることを特徴とするデバイス。

IPC (3件)：

H01L 29/12 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 658 A , H01L 29/78 652 D , H01L 29/78 658 E

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭58-175872
特開昭63-132481
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-351180 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (7件)

特開昭58-175872
パワーデバイスとその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-581588 出願人：シリコン・セミコンダクター・コーポレイション
特開昭63-132481

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