特許
J-GLOBAL ID：200903078302418203

半導体基板、半導体素子及びその製造方法

発明者：
高橋 邦方

高橋 邦方 について

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内田 正雄

内田 正雄 について

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北畠 真

北畠 真 について

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横川 俊哉

横川 俊哉 について

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楠本 修

楠本 修 について

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山下 賢哉

山下 賢哉 について

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宮永 良子

宮永 良子 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-301293
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234301
出願日： 2002年10月16日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 平坦な界面及び上面を有する半導体薄膜の成長方法を提供し、これを用いて優れた特性を発揮する半導体素子を提供する。【解決手段】 上面を平坦化処理したSiCバルク基板11を縦型薄膜成長装置内に設置し、不活性ガス雰囲気で加熱する。次に、基板温度が1200°Cから1600°Cの間に流量1mL/でSiの原料ガスを供給する。次いで、1600°Cの温度下、希釈ガスを水素ガスに変え、Si及び炭素の原料ガスを供給し、窒素を間欠的に供給することで、SiC薄膜をSiCバルク基板11の上に積層する。これにより、上面及び内部の界面のステップ高さの平均が30nm以下と平坦化されたδドープ層の積層構造を形成することができるので、これを用いて耐圧が高く、移動度の大きい半導体素子を実現することができる。
請求項（抜粋）：
SiCバルク基板と、上記SiCバルク基板の上方に設けられ、不純物を含むSiC堆積層とを備え、上記SiC堆積層の厚みをtとし、上記SiC堆積層の上面のステップ高さをhとするとき、上記ステップ高さと上記SiC堆積層の厚みとの比h/tが、10-6以上10-1以下の範囲にあり、且つ上記ステップ高さが10nm以下である半導体基板。
IPC (8件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872
FI (7件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/78 301 B
Fターム (59件)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  4M104HH20 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC16 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL02 ,  5F102GM02 ,  5F102GR01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F140AA05 ,  5F140AC23 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BB13 ,  5F140BB15 ,  5F140BC05 ,  5F140BC12 ,  5F140BD06 ,  5F140BE07 ,  5F140BF07 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140CE05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (12件)
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