特許
J-GLOBAL ID:201603007083074448

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-032110
公開番号(公開出願番号):特開2014-165937
特許番号:特許第5932680号
出願日: 2013年02月21日
公開日(公表日): 2014年09月08日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1の電源端子を有し、前記第1の電源端子に供給される電源電圧により動作する回路ブロックが集積された第1の半導体チップと、 スイッチングトランジスタを有し、前記第1の電源端子に前記電源電圧を供給する電源回路と、 前記第1の半導体チップに形成され、前記スイッチングトランジスタのオン/オフを制御する制御信号を生成する制御回路と、 を具備し、 前記制御回路は、前記電源電圧と所定の参照電圧とを比較してその比較結果に応じて第1の制御信号を生成する電圧誤差信号生成回路と、前記回路ブロックの動作周波数を前記電源回路のスイッチング周波数と比較して両者が一致する場合にはこれらの周波数をずらし、または前記回路ブロックの動作位相と前記電源回路のスイッチング位相とを比較して両者が一致する場合にはこれらの位相をずらす制御を行う第2の制御信号を生成する周波数誤差信号生成回路と、前記第1の制御信号と前記第2の制御信号に応答して前記電源回路のスイッチングトランジスタのオン/オフの比率を制御する信号を生成する回路とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H02M 3/155 ( 200 6.01)
FI (2件):
H02M 3/155 H ,  H02M 3/155 W
引用特許:
審査官引用 (7件)
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