特許
J-GLOBAL ID：201603007324297575

結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法

発明者：
織田 真也

織田 真也 について

, 
人羅 俊実

人羅 俊実 について


出願人/特許権者：
株式会社FLOSFIA

株式会社FLOSFIA について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-239391
公開番号（公開出願番号）：特開2016-098166
出願日： 2014年11月26日
公開日（公表日）： 2016年05月30日
要約：
【課題】異種基板上でも、工業的有利にエピタキシャル層を形成できる結晶成長用基板及びエピタキシャル成長方法の提供。【解決手段】結晶基板10の結晶成長面1上に、直接又は他の層を介して、凸部2又は凹部からなる凹凸部が形成されている結晶成長用基板11であって、結晶基板10が、結晶成長方向に垂直又は略垂直な第1及び第2の結晶軸を有しており、第1の結晶軸方向の熱膨張係数が第2の結晶軸方向の熱膨張係数よりも大きく、前記結晶成長面の一部又は全部に、第1の結晶軸に対して、平行又は略平行な方向に前記凹凸部が形成されている結晶成長用基板11。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凸部または凹部からなる凹凸部が形成されている結晶成長用基板であって、前記結晶基板が、結晶成長方向に垂直または略垂直な第1および第2の結晶軸を有しており、第1の結晶軸方向の熱膨張係数が第2の結晶軸方向の熱膨張係数よりも大きく、前記結晶成長面の一部または全部に、第1の結晶軸に対して垂直または略垂直な方向に前記凹凸部が形成されていることを特徴とする結晶成長用基板。
IPC (1件)：
C30B 29/16
FI (1件)：
C30B29/16
Fターム (12件)：
4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077TA04 ,  4G077TB01 ,  4G077TH02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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