特許
J-GLOBAL ID：200903000549579170
III族窒化物系化合物半導体の製造方法、III族窒化物系化合物半導体の形成されたウエハ及びIII族窒化物系化合物半導体素子
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-212461
公開番号（公開出願番号）：特開2009-203151
出願日： 2008年08月21日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：
【課題】結晶軸の揃った、m面を主面とするIII族窒化物系化合物半導体を得る。【解決手段】a面を主面とするサファイア基板に、c面からのオフ角が45度以下の側面を有する凸部を形成する。この後、トリメチルアルミニウムを300〜420°Cで供給して厚さ40Å以下のアルミニウム層を形成し、窒化処理して窒化アルミニウム層とする。すると、a面を主面とするサファイア基板のうち、凸部のc面からのオフ角が45度以下の側面のみからIII族窒化物系化合物半導体のエピタキシャル成長が可能となる。こうして、サファイア基板の主面に平行にm面を有するIII族窒化物系化合物半導体が形成できる。【選択図】図1.A
請求項（抜粋）：
主面に、側面として傾斜した面を少なくとも有する凹凸を形成した基板を用い、
前記基板の表面を加熱処理する工程と、
アンモニアを供給して窒化処理することで前記凹凸を有する前記基板の表面に窒化アルミニウム薄膜を形成する工程と、
主として前記基板の前記凹凸の前記側面に、III族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077DB01
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE01
, 4G077EF02
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TB01
, 4G077TC13
, 4G077TK01
, 4G077TK04
, 4G077TK06
, 4G077TK08
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
