特許
J-GLOBAL ID：201603007656479626
マルチフェロイック素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
木村 満
, 佐藤 浩義
, 毛受 隆典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-245314
公開番号（公開出願番号）：特開2016-111102
出願日： 2014年12月03日
公開日（公表日）： 2016年06月20日
要約：
【課題】より高感度に、外部からの作用を感知できるマルチフェロイック素子を提供する。【解決手段】マルチフェロイック素子1は、一対の電極(基板層11、電極層13)と、一対の電極(基板層11、電極層13)の間に設けられたマルチフェロイック層12と、を備え、マルチフェロイック層12の厚さは、当該マルチフェロイック層12が有する少なくとも2以上の異なる強秩序状態が、外部からの作用によって当該マルチフェロイック層12を流れるトンネル電流により変化する厚さに形成されている。これにより、マルチフェロイック素子1は、外部からの作用によって電気抵抗が顕著に変化し、外部からの作用を高感度に感知できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一対の電極と、
前記一対の電極の間に設けられたマルチフェロイック層と、を備え、
前記マルチフェロイック層の厚さは、当該マルチフェロイック層が有する少なくとも2以上の異なる強秩序状態が、外部からの作用によって当該マルチフェロイック層を流れるトンネル電流により変化する厚さに形成されている、
マルチフェロイック素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/82 Z
, G01R33/06 R
2G017AA10
, 2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 5F092AA01
, 5F092AB01
, 5F092AB06
, 5F092AC30
, 5F092AD03
, 5F092BD03
, 5F092BD06
, 5F092BD13
, 5F092BD14
, 5F092BE02
, 5F092BE11
, 5F092BE21
