特許

J-GLOBAL ID：201303003183407241

スピン注入型メモリセル構造および方法

発明者： クレイマー,スティーブン ジェイ. ,  サンデュ,ガーテ エス.
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー, インク.
代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-529121
公開番号（公開出願番号）：特表2013-539222
出願日： 2011年09月13日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：

スピン注入型(STT)メモリセル構造および方法が、本明細書に記載される。1つまたは複数のSTTメモリセル構造は、強磁性記憶材料と、反強磁性材料と接するピンド強磁性材料との間に位置づけられたトンネルバリア材料を含む。トンネルバリア材料は、マルチフェロイック材料であり、反強磁性材料、強磁性記憶材料、およびピンド強磁性材料は、第1の電極と第2の電極との間に位置づけられる。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

強磁性記憶材料と、反強磁性材料と接するピンド強磁性記憶材料との間に位置づけられたトンネルバリア材料を備え、 前記トンネルバリア材料はマルチフェロイック材料であり、前記反強磁性材料、前記強磁性記憶材料、および前記ピンド強磁性材料は、第1の電極と第2の電極との間に位置づけられる、 スピン注入型(STT)メモリセル構造。

IPC (6件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  G11C 11/15

FI (5件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  G11C11/15 112

Fターム (30件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB12 ,  4M119CC05 ,  4M119DD10 ,  4M119DD26 ,  4M119DD34 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB40 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BE27

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-032420   出願人：株式会社日立製作所, 国立大学法人東北大学
• 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265663   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-283276   出願人：株式会社東芝
• 磁気デバイスおよびこれを用いた磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-340591   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Spintronics with multiferroics