特許
J-GLOBAL ID：201603008160203090

Gaを含むIII族窒化物半導体の製造方法

発明者：
奥野 浩司

奥野 浩司 について

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小塩 高英

小塩 高英 について

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柴田 直樹

柴田 直樹 について

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天野 浩

天野 浩 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-077882
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207257
特許番号：特許第5874495号
出願日： 2012年03月29日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 サファイア基板上にIII 族窒化物半導体を成長させる方法において、 前記サファイア基板上に、AlN、又は、Alx Ga1-x N(0 IPC (5件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 25/18 ( 200 6.01) ,  C23C 16/02 ( 200 6.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01)
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/02 ,  H01L 33/00 186
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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