FePt-C系スパッタリングターゲット

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：松山圭佑 , 高矢諭 , 牧野剛博 , 藤田崇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-010130
公開番号（公開出願番号）：特開2016-094671
出願日： 2016年01月21日
公開日（公表日）： 2016年05月26日
要約：

【課題】複数のターゲットを用いることなく、炭素含有量の多いFePtC系薄膜を単独で形成できるFePt-C系スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Fe、PtおよびCを含有するFePt-C系スパッタリングターゲットであって、Ptを40〜60at%含有して残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金相と、C相とが互いに分散した構造を有するようにし、ターゲット全体に対するCの含有量を21〜70at%にし、かつ、ターゲット全体に対する酸素の含有量を100質量ppm以下にする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

Fe、PtおよびCを含有するFePt-C系スパッタリングターゲットであって、 Ptを40〜60at%含有して残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金相と、不可避的不純物を含むC相とが互いに分散した構造を有し、ターゲット全体に対するCの含有量が21〜70at%であり、かつ、ターゲット全体に対する酸素の含有量が100質量ppm以下であることを特徴とするFePt-C系スパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 , C22C 5/04 , C22C 30/00 , G11B 5/851 , G11B 5/64

FI (5件)：

C23C14/34 A , C22C5/04 , C22C30/00 , G11B5/851 , G11B5/64

Fターム (13件)：

4K029BA22 , 4K029BC06 , 4K029BD11 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC09 , 5D006BB05 , 5D006BB06 , 5D006EA03 , 5D112AA05 , 5D112BB02 , 5D112FA04 , 5D112FB02

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-254164 出願人：三菱マテリアル株式会社
磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-012628 出願人：三菱マテリアル株式会社
磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-012629 出願人：三菱マテリアル株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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