特許
J-GLOBAL ID：201603008900556073
薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
植木 久一
, 植木 久彦
, 菅河 忠志
, 伊藤 浩彰
, 植村 純子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-169246
公開番号（公開出願番号）：特開2014-013917
特許番号：特許第6018551号
出願日： 2013年08月16日
公開日（公表日）： 2014年01月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体層、エッチストッパー層、ソース-ドレイン電極、および前記ソース-ドレイン電極を保護する保護膜をこの順序で有する薄膜トランジスタであって、
前記酸化物半導体層は、
In、Ga、Zn、Sn、およびOから構成される第1の酸化物半導体層と、
In、Zn、Sn、およびOから構成される第2の酸化物半導体層と、を有する積層体であると共に、
前記第1の酸化物半導体層中、酸素を除く全金属元素に対する各金属元素の含有量(原子%、以下同じ)は、
In:25%以下(0%を含まない)、
Ga:8.0%以上、30%以下、
Zn:30.0〜65%、および
Sn:5〜30%
であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 619 A
