特許
J-GLOBAL ID:201603008984211998
ウェーハ加工方法及びウェーハ加工装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松浦 憲三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-121904
公開番号(公開出願番号):特開2016-171350
出願日: 2016年06月20日
公開日(公表日): 2016年09月23日
要約:
【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができるウェーハ加工方法及びウェーハ加工装置を提供する。【解決手段】内部にレーザ光で改質領域を形成したウェーハを加工するウェーハ加工方法において、ウェーハの裏面を研削して改質領域を除去しながら、該改質領域から延びる微小亀裂を進展させる研削工程と、研削にて改質領域が除去された後、ウェーハを研磨して鏡面化する研磨工程と、を有する。【選択図】図15
請求項(抜粋):
内部にレーザ光で改質領域を形成したウェーハを加工するウェーハ加工方法において、
前記ウェーハの裏面を研削して前記改質領域を除去しながら、該改質領域から延びる微小亀裂を進展させる研削工程と、
前記研削にて前記改質領域が除去された後、前記ウェーハを研磨して鏡面化する研磨工程と、
を有する、ウェーハ加工方法。
IPC (4件):
H01L 21/301
, H01L 21/304
, B23K 26/53
, B24B 7/04
FI (7件):
H01L21/78 V
, H01L21/304 621D
, H01L21/304 631
, H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, B23K26/53
, B24B7/04 A
Fターム (42件):
3C043BA04
, 3C043BA09
, 3C043CC04
, 3C043CC12
, 4E168AE02
, 4E168CA06
, 4E168CA07
, 4E168CB01
, 4E168CB05
, 4E168CB07
, 4E168CB12
, 4E168CB15
, 4E168CB21
, 4E168DA24
, 4E168DA45
, 4E168DA60
, 4E168EA03
, 4E168GA01
, 4E168HA01
, 4E168KA15
, 5F057AA12
, 5F057BA11
, 5F057CA14
, 5F057CA32
, 5F057CA36
, 5F057DA03
, 5F057DA11
, 5F057EB04
, 5F057EC15
, 5F057GA04
, 5F057GB40
, 5F063AA06
, 5F063AA35
, 5F063CB07
, 5F063CB14
, 5F063CB23
, 5F063CB28
, 5F063DD27
, 5F063DD63
, 5F063DD82
, 5F063DF12
, 5F063FF11
引用特許:
審査官引用 (5件)
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-307169
出願人:株式会社東芝
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-007156
出願人:ソニー株式会社
-
ウエーハの分割方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-144072
出願人:株式会社ディスコ
-
ウェーハ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-058331
出願人:株式会社東京精密
-
半導体基板の切断方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-318883
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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