磁気抵抗素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-162820
公開番号（公開出願番号）：特開2016-039313
出願日： 2014年08月08日
公開日（公表日）： 2016年03月22日
要約：

【課題】耐熱性を向上させつつ、感度の低下も抑制できる磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】ピン層20、中間層30、フリー層40が順に積層され、フリー層40に磁化方向が膜面の面内方向に対する法線方向に磁化方向を有する磁気抵抗素子において、フリー層40に、単位面積当たりの磁気モーメントの大きさを磁化量としたとき、フリー層40を構成する母材に、磁化量の低下率が異方性磁界の低下率より大きくなる非磁性材料41を添加する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜状であり、膜面の面内方向における一方向に磁化方向が固定されているピン層(20)と、薄膜状であり、前記ピン層上に積層された中間層(30)と、薄膜状であり、前記中間層上に積層され、膜面の面内方向に対する法線方向に磁化方向を有し、当該磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層(40)と、を備え、前記フリー層は、単位面積当たりの磁気モーメントの大きさを磁化量としたとき、前記フリー層を構成する母材の磁化量を小さくする非磁性材料(41)が添加されており、前記非磁性材料が添加されることによる磁化量の低下率は、前記非磁性材料が添加されることによる異方性磁界の低下率より大きくされていることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , G01R 33/09

FI (5件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01F10/16 , H01F10/32 , G01R33/06 R

Fターム (24件)：

2G017AA01 , 2G017AD55 , 5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA30 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5E049DB14 , 5F092AA01 , 5F092AA08 , 5F092AB01 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC07 , 5F092BE25

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-094625 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-249596 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-248251 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る