特許
J-GLOBAL ID：200903080851721010

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
吉川 将寿

吉川 将寿 について

, 
甲斐 正

甲斐 正 について

, 
永瀬 俊彦

永瀬 俊彦 について

, 
北川 英二

北川 英二 について

, 
岸 達也

岸 達也 について

, 
與田 博明

與田 博明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-249596
公開番号（公開出願番号）：特開2008-109118
出願日： 2007年09月26日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】低電流での磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁化の方向が固定された磁化固定層3を含む。磁化可変層2は、磁化の方向が可変で、BCC構造を有するFe1-x-yCoxNiy(0≦x+y≦1、0≦x、y≦1)からなる磁性合金からなり、V、Cr、Mnのうちの1つ以上である添加元素を0<a≦20at%(aは含有量)の範囲で含有する。中間層4は、磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。磁化可変層の磁化の方向は、磁化固定層と中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって可変とされる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁化の方向が固定された磁化固定層と、 磁化の方向が可変で、BCC構造を有するFe1-x-yCoxNiy(0≦x+y≦1、0≦x≦1、0≦y≦1)からなる磁性合金からなり、V、Cr、Mnのうちの1つ以上である添加元素を0<a≦20at%(aは含有量)の範囲で含有する磁化可変層と、 前記磁化固定層と前記磁化可変層との間に設けられた、非磁性材料からなる中間層と、 を具備し、前記磁化固定層と前記中間層と前記磁化可変層とを貫く双方向電流によって前記磁化可変層の磁化の方向が反転されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/32
FI (6件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32
Fターム (47件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  4M119HH01 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC46 ,  5F092BE12 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6,256,223号明細書
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM