磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-094625
公開番号（公開出願番号）：特開2008-252018
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子1は、磁化の方向が固定された第1磁化固定層2を含む。磁化可変層3は、磁化の方向が可変で、Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも1つの元素と、Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt、Auから選ばれる少なくとも1つの元素と、V、Cr、Mnから選ばれる少なくとも1つの元素と、を含む。第1中間層4は、第1磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。第1磁化固定層と第1中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって磁化可変層の磁化の方向が可変とされる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化の方向が固定された第1磁化固定層と、磁化の方向が可変で、Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも1つの元素と、Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt、Auから選ばれる少なくとも1つの元素と、V、Cr、Mnから選ばれる少なくとも1つの元素と、を含む磁化可変層と、前記第1磁化固定層と前記磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる第1中間層と、を具備し、前記第1磁化固定層と前記第1中間層と前記磁化可変層とを貫く双方向電流によって前記磁化可変層の磁化の方向が可変とされることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01F 41/32 , H01F 10/16 , H01F 10/14 , G11B 5/39

FI (8件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01F41/32 , H01F10/16 , H01F10/14 , G11B5/39

Fターム (51件)：

4M119AA03 , 4M119AA06 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5D034BA03 , 5D034BA21 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA06 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5F092AA01 , 5F092AA08 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC46 , 5F092BE02 , 5F092BE06 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE24 , 5F092BE25

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,256,223号明細書

審査官引用 (4件)

磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-262444 出願人：株式会社東芝
交換結合された反強磁性/強磁性構造による垂直磁気バイアスを有する異常磁気抵抗センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-184574 出願人：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
記憶素子及びメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-116128 出願人：ソニー株式会社

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