特許
J-GLOBAL ID：201603009178713327

液晶表示装置

発明者：
荒澤 亮

荒澤 亮 について

, 
宍戸 英明

宍戸 英明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-005283
公開番号（公開出願番号）：特開2016-066101
出願日： 2016年01月14日
公開日（公表日）： 2016年04月28日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】薄膜トランジスタ、及び画素電極を有する複数の画素を有し、画素は、走査線として機能する第1の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第1の配線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第1の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、画素電極と、酸化物半導体層とが重畳して設けられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電膜と、 第2の導電膜と、 第3の導電膜と、 トランジスタと、を有し、 前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、 前記酸化物半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有し、 前記酸化物半導体層は、結晶性を有し、 前記第1の導電膜は、前記トランジスタのゲートとして機能する第1の領域を有し、 前記トランジスタは、前記ゲートと重なる領域の前記酸化物半導体層に、チャネル形成領域を有し、 前記チャネル形成領域上に接する、酸化物絶縁層を有し、 前記酸化物絶縁層は、酸化珪素を有し、 前記第1の導電膜は、前記酸化物半導体層のチャネル幅方向の端を越えた第2の領域を有し、 前記第1の導電膜は、前記ゲートとして機能する第1の領域より幅の小さい第3の領域を有し、 前記第3の領域は、走査線として機能し、 前記第2の導電膜は、信号線として機能し、 前記信号線は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3の導電膜と電気的に接続され、 前記第3の導電膜は、画素電極と電気的に接続され、 前記酸化物半導体層は、チャネル幅方向の長さが、前記チャネル形成領域のチャネル長よりも大きい領域を有し、 前記酸化物半導体層は、チャネル長方向の長さが、前記第1の導電膜の前記第3の領域の幅よりも大きい領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
G02F1/1368 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618C
Fターム (60件)：
2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192BC42 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB45 ,  2H192CC04 ,  2H192CC42 ,  2H192DA12 ,  2H192DA43 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE25 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG26 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP35 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (8件)
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