特許
J-GLOBAL ID：200903067316547314

トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板

発明者：
山口 郁博

山口 郁博 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (2件)： 荒船 博司 ,  荒船 良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-308806
公開番号（公開出願番号）：特開2005-077822
出願日： 2003年09月01日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 画素の開口率を低下させずにトランジスタアレイ基板の製造工程を簡略化すること。【解決手段】 トランジスタアレイ基板1を製造するに際して、トランジスタ4をマトリクス状にパターニングする。そのトランジスタ4の不純物半導体膜12,13は、透明な半導体である金属酸化物(酸化亜鉛、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛、酸化カドミウム等)に不純物を含んだ不純物ドープ金属酸化物膜をべた一面に成膜した後、その膜にマスクを施した状態でエッチングすることによって形成する。ここで、そのマスクには、不純物半導体膜12,13の分だけでなく蓄電用ライン7の分もあるので、不純物ドープ金属酸化物膜から蓄電用ライン7も形成される。トランジスタ4及び蓄電用ライン7を層間絶縁膜16で被覆し、蓄電用ライン7の一部に対向する画素電極3を層間絶縁膜16上に形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のトランジスタで構成されたトランジスタアレイ基板の製造方法において、 透明な半導体である金属酸化物と不純物とを含んだ透明な不純物金属酸化物膜を成膜する不純物金属酸化物膜成膜工程と、 前記不純物金属酸化物膜を形状加工することによって、トランジスタの不純物半導体膜及び蓄電用電極を形成するパターニング工程と、 絶縁膜を介して前記蓄電用電極と重なるように透明電極を形成する透明電極形成工程と、 を含むことを特徴とするトランジスタアレイ基板の製造方法。
IPC (3件)：
G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (4件)：
G02F1/1368 ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B
Fターム (52件)：
2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JB65 ,  2H092JB68 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KA19 ,  2H092NA07 ,  2H092NA27 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE37 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK25 ,  5F110HK34 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL24 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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