特許
J-GLOBAL ID：201603009601281439
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-181636
公開番号（公開出願番号）：特開2015-050358
特許番号：特許第6026375号
出願日： 2013年09月02日
公開日（公表日）： 2015年03月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下地上に、第1の膜のラインパターンを形成する工程と、
前記第1の膜のラインパターンの側壁および上面に、コンフォーマルに第2の膜を堆積させる工程と、
前記第2の膜をエッチバックして、前記第1の膜のラインパターンの上面上の前記第2の膜を除去し、前記第1の膜のラインパターンの側壁に前記第2の膜を残す工程と、
前記第1の膜のラインパターンをエッチングして除去し、前記下地上に前記第2の膜のラインパターンを残す工程と、
前記第2の膜のラインパターンの側壁および上面に、コンフォーマルに第3の膜を堆積させる工程と、
前記第3の膜をエッチバックして、前記第2の膜のラインパターンの上面上の前記第3の膜を除去し、前記第2の膜のラインパターンの側壁に前記第3の膜を残す工程と、
前記第2の膜のラインパターンをエッチングして除去し、前記下地上に前記第3の膜のラインパターンを残す工程と、
を備え、
前記第2の膜を堆積させる工程、前記第2の膜をエッチバックする工程、および前記第1の膜のラインパターンをエッチングする工程を、同じプラズマ処理装置内で続けて行い、
前記第3の膜を堆積させる工程、前記第3の膜をエッチバックする工程、および前記第2の膜のラインパターンをエッチングする工程を、同じプラズマ処理装置内で続けて行う半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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