特許
J-GLOBAL ID：200903013379218709
試料の表面処理装置及び表面処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-046972
公開番号（公開出願番号）：特開2004-259819
出願日： 2003年02月25日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】半導体などの表面処理において、エッチング後にマスク材表面に残留したケイ素成分や硬化したマスク層等を含んだ領域のマスク材の除去を行うための手段として、エッチング後の膜層へのダメージ(エッチング)を少なくした表面処理装置を提供する。また、真空容器内壁に堆積したカーボン系、ケイ素系のデポ物の除去を行うための手段も提供する。【解決の手段】プラズマを用いる表面処理装置で、アッシングガスとして酸素ガスにフッ素ガスを添加する。酸素ガスとフッ素ガスとの混合ガスをアッシングガスとして導入することでマスク材表面に残留したケイ素成分や硬化したマスク層等を含んだ領域のマスク材の除去と真空容器内壁に堆積したカーボン系、ケイ素系のデポ物デポ物の除去を同時にができ、且つ、低圧力でのマスク材除去をすることと、上記酸素ガスとフッ素ガスのプラズマを用いるステップに引続き、酸素ガスのみのプラズマを用いる事により、エッチング後の膜層へのダメージ(エッチング)を少なくすることが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空容器と、該真空容器内でプラズマを発生させる手段、該プラズマにより表面処理される試料を設置する試料台、および該試料に高周波バイアスを印加するための電源を備えた試料の表面処理装置であって、前記プラズマにより前記試料の表面処理を行うものにおいて、
前記真空容器内の反応生成物のプラズマ発光強度や干渉光の変化をモニタし、該モニタ結果に基き前記表面処理の状態を自動判定し、前記高周波バイアスをコントロールする機能を備えたことを特徴とする試料の表面処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 103
, H01L21/30 572A
5F004AA02
, 5F004AA06
, 5F004AA09
, 5F004BA08
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB18
, 5F004BB28
, 5F004BD01
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004CB02
, 5F004CB09
, 5F004DA01
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA18
, 5F004DA26
, 5F004DB25
, 5F004DB26
, 5F004EA28
, 5F046MA12
