特許
J-GLOBAL ID:200903044973710314
プラズマ処理方法および装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
萩原 康司
, 金本 哲男
, 亀谷 美明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-057923
公開番号(公開出願番号):特開2006-245234
出願日: 2005年03月02日
公開日(公表日): 2006年09月14日
要約:
【課題】 エッチング工程において処理容器内に堆積した堆積物をなるべく短時間で除去できるようにする。【解決手段】 処理容器10内に収納した被処理体Wをプラズマ処理する方法であって,パターニングされたレジスト膜103をマスクとして用いて,CF系の処理ガスで被処理基板Wをエッチングする工程と,被処理体Wをエッチングする工程において処理容器10内に堆積した堆積物を,少なくともO2ガスを含む処理ガスで除去する工程と,少なくともO2ガスを含む処理ガスでレジスト膜103をアッシングする工程とを有し,処理容器10内の堆積物を除去する工程において,堆積物を除去する処理容器10内の該当箇所を加熱する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
処理容器内に収納した被処理体をプラズマ処理する方法であって,
パターニングされたレジスト膜をマスクとして用いて,CF系の処理ガスで被処理体をエッチングする工程と,
前記被処理体をエッチングする工程において前記処理容器内に堆積した堆積物を,少なくともO2ガスを含む処理ガスで除去する工程と,
少なくともO2ガスを含む処理ガスで前記レジスト膜をアッシングする工程とを有し,
前記処理容器内の堆積物を除去する工程において,前記堆積物を除去する前記処理容器内の該当箇所を加熱することを特徴とする,プラズマ処理方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (18件):
5F004AA15
, 5F004BA09
, 5F004BB22
, 5F004BB29
, 5F004BD01
, 5F004CB02
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DA28
, 5F004DB24
, 5F004DB26
, 5F004EA23
引用特許:
出願人引用 (6件)
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-302532
出願人:松下電子工業株式会社
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有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-356377
出願人:キヤノン株式会社
-
レジスト除去方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-198535
出願人:宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
-
アッシング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-013471
出願人:ソニー株式会社
-
アッシング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-361253
出願人:キヤノン株式会社
-
プラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-104160
出願人:東京エレクトロン株式会社
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