特許

J-GLOBAL ID：201603009805235452

窒化物半導体テンプレートの製造方法

発明者： 一楽 洋治郎
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-253094
公開番号（公開出願番号）：特開2016-115794
出願日： 2014年12月15日
公開日（公表日）： 2016年06月23日
要約：

【課題】ゲルマニウムの原料ガスを直接反応装置内に導入しないハイドライド気相成長法による窒化物半導体テンプレートの製造方法において、得られる窒化物半導体層中のキャリア濃度分布の均一性が高まる製造方法を提供する。【解決手段】下地基板を準備する準備工程と、金属ゲルマニウムと、少なくとも金属ガリウムを含む13族金属とを溶融させ、合金を得る工程と、前記合金にハロゲン化水素ガス流を接触させ、ハロゲン化金属ガス流を得る工程と、窒素源ガス流と前記ハロゲン化金属ガス流を前記下地基板の上面に接触させ、前記下地基板上に窒化物半導体層を成長させる工程と、を有する窒化物半導体テンプレートの製造方法。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

下地基板を準備する準備工程と、 金属ゲルマニウムと、少なくとも金属ガリウムを含む13族金属とを溶融させ、合金を得る工程と、 前記合金にハロゲン化水素ガス流を接触させ、ハロゲン化金属ガス流を得る工程と、 窒素源ガス流と前記ハロゲン化金属ガス流を前記下地基板の上面に接触させ、前記下地基板上に窒化物半導体層を成長させる工程と、 を有する窒化物半導体テンプレートの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/34

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C23C16/448 ,  C23C16/34

Fターム (38件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB05 ,  4G077EC10 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC02 ,  4G077TK01 ,  4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA03 ,  4K030KA23 ,  4K030KA25 ,  4K030LA14 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DQ08 ,  5F045EE15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ドープIII-Nバルク結晶及び自立型ドープIII-N基板の製造方法、並びにドープIII-Nバルク結晶及び自立型ドープIII-N基板
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-523151   出願人：フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
• 窒化物膜の製造方法及び窒化物構造物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-119379   出願人：三星電機株式会社
• 窒化物半導体テンプレートおよびその製造方法、並びに窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-101126   出願人：日立金属株式会社