ドープIII-Nバルク結晶及び自立型ドープIII-N基板の製造方法、並びにドープIII-Nバルク結晶及び自立型ドープIII-N基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-523151
公開番号（公開出願番号）：特表2010-500267
出願日： 2006年08月09日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】良好な結晶の質と成長方向及び/又はそれに垂直な平面内におけるドーパントの均等な配列とを有するドープIII-N結晶層又はドープIII-Nバルク結晶を提供すること。【解決手段】ドープIII-N結晶層又はドープIII-Nバルク結晶を製造する方法において、ドープIII-N結晶層又はドープIII-Nバルク結晶が、リアクタ内で基板又はテンプレート上に堆積し、リアクタ内に、少なくとも1つのドーパントが、少なくとも1つのIII族材料とともに混合した状態で供給される。この方法によれば、成長方向及びそれに垂直な平面においてそれぞれドーパントが非常に均質に分布されたIII-Nバルク結晶及びIII-N単結晶基板を分離させて得ることができる。同様に、成長方向及びそれに垂直な平面において非常に均質な電荷キャリア及び/又は電気抵抗率を分布させることができる。さらに、非常に良好な結晶品質を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドープIII-N結晶層又はドープIII-Nバルク結晶を製造する方法であって、前記IIIが、Al、Ga及びInから選択された周期表のIII族の少なくとも1つの元素を示し、前記ドープIII-N結晶層又は前記ドープIII-Nバルク結晶を、リアクタ内で基板又はテンプレート上に堆積させ、前記リアクタ内に、少なくとも1つのドーパントが、少なくとも1つのIII族材料とともに混合した状態で供給されることを特徴とするドープIII-N結晶層又はドープIII-Nバルク結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , C30B 25/02 , C23C 16/34 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D , C30B25/02 Z , C23C16/34 , H01L21/205

Fターム (42件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EB01 , 4G077EB03 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TB03 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA20 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030EA01 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030KA49 , 4K030LA14 , 4K030LA18 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045GB11

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-151139 出願人：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-567830 出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
III族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-000961 出願人：古河機械金属株式会社

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