特許
J-GLOBAL ID：201603010270349710
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-009736
公開番号（公開出願番号）：特開2016-128913
出願日： 2016年01月21日
公開日（公表日）： 2016年07月14日
要約：
【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供する。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供する。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供する。【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、第1のトランジスタ6401と、第2のトランジスタ6402と、発光素子6404とを有する画素を有し、第1のトランジスタ6401は、第1のゲート電極と、第1のゲート電極上の第2のゲート電極と、第1のゲート電極と第2のゲート電極の間に位置する第1の酸化物半導体層とを有し、第2のトランジスタ6402は、第3のゲート電極と、第3のゲート電極上の第4のゲート電極と、第3のゲート電極と第4のゲート電極の間に位置する第2の酸化物半導体層とを有する。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、発光素子とを有する画素を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上の第2のゲート電極と、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極の間に位置する第1の酸化物半導体層とを有し、
前記第2のトランジスタは、第3のゲート電極と、前記第3のゲート電極上の第4のゲート電極と、前記第3のゲート電極と前記第4のゲート電極の間に位置する第2の酸化物半導体層とを有し、
前記第1のトランジスタの前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、走査線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、信号線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタの前記第3のゲート電極及び前記第4のゲート電極に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
G09F 9/30
, H01L 51/50
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 27/32
, H01L 21/477
G09F9/30 338
, H05B33/14 A
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618Z
, H01L29/78 612Z
, G09F9/30 365
, H01L21/477
