半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高田守 , 高橋英樹 , 久野淑己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-035967
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172059
特許番号：特許第6019609号
出願日： 2012年02月22日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体層の上に絶縁膜のマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをマスクとして、SiCl4を含むガスを用いて前記半導体層をエッチングし、前記半導体層にリッジを形成する工程と、前記エッチングにより露出した面に形成されたSi系残渣を酸化してSi酸化物にする酸化工程と、前記マスクパターンを残しつつ、前記Si酸化物を希釈BHFにより除去する除去工程と、前記除去工程の後に、前記マスクパターンをマスクとして、前記リッジの側面に電流ブロック層を成長する工程と、を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (1件)：