特許

J-GLOBAL ID：200903001190120300

化合物半導体装置の製造方法

発明者： 秋山 傑 ,  山本 剛之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-239334
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057142
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体装置の製造方法に関し、ドライ・エッチング工程に伴って発生するSi系の化合物からなるエッチング反応生成物を、良好な表面モフォロジーを保った状態で確実に除去する。【解決手段】 Si原子とCl原子を分子構造に含むガスを少なくとも構成要素とする原料ガスを用いて化合物半導体をドライ・エッチングしたのち、O2 ガス或いはN2 ガスの少なくとも一方を含む原料ガスを用いたプラズマ照射処理を行い、次いで、酸溶液を用いてエッチング表面を処理する。

請求項（抜粋）：

Si原子とCl原子を分子構造に含むガスを少なくとも構成要素とする原料ガスを用いて化合物半導体をドライ・エッチングしたのち、O2ガス或いはN2 ガスの少なくとも一方を含む原料ガスを用いたプラズマ照射処理を行い、次いで、酸溶液を用いてエッチング表面を処理することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/201 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/227

FI (5件)：

H01S 5/227 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 S ,  H01L 29/203 ,  H01L 29/80 H

Fターム (30件)：

5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004DA00 ,  5F004DA13 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB20 ,  5F004DB22 ,  5F004EA10 ,  5F004EA29 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08 ,  5F043AA14 ,  5F043AA15 ,  5F043BB30 ,  5F043FF05 ,  5F043GG10 ,  5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 化合物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-253726   出願人：富士通株式会社, 富士通カンタムデバイス株式会社
• 半導体エッチング方法および半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-046312   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-346842   出願人：富士通株式会社, 富士通カンタムデバイス株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• SiCl4/Ar誘導結合型プラズマ(ICP)によるInPのドライエッチング