特許
J-GLOBAL ID：201603010585817720
ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法及びワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牧野 琢磨
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-168032
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027193
特許番号：特許第6023497号
出願日： 2012年07月30日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】板状のワイドギャップ半導体または測定に用いる単色光に対し透光性を有する基板に形成されたワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法であって、
前記ワイドギャップ半導体の表面に接触し、ショットキー電極として作用する第1電極と、擬似的オーミック電極として作用する第2電極と、を形成する水銀プローブを用意し、
前記水銀プローブは、バンドギャップ電子物性を測定する複数の測定箇所にドット状に形成された複数個の第1電極をそれぞれ形成し、各第1電極をそれぞれ取り囲むように前記ワイドギャップ半導体の表面全面に前記第2電極を一体的に形成したものであり、
前記水銀プローブにより、前記ワイドギャップ半導体にパルス電圧を印加し、前記ワイドギャップ半導体のバンドギャップ内準位に電荷注入を行い、
前記ワイドギャップ半導体に対し、前記水銀プローブが接触する面の反対側の面から、光励起を生じさせる波長及び強度の単色光を照射し、
前記パルス電圧印加後の単色光照射環境下でのインピーダンスを測定し、このインピーダンスに基づいて、照射した前記単色光の波長と、キャパシタンス又はコンダクタンスの変化率との対応関係により前記ワイドギャップ半導体の複数箇所のバンドギャップ電子物性を同時に評価することを特徴とするワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 L
, H01L 21/66 B
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
