不純物導入装置、不純物導入方法及び半導体素子の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴木壯兵衞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-169698
公開番号（公開出願番号）：特開2016-157911
出願日： 2015年08月28日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
要約：

【課題】不純物元素を固体材料からなる対象物の内部に、従来得られている導入濃度よりも高い濃度で導入することができる。【解決手段】不純物導入装置1aは、光パルスを出射する光源34を有し、光パルスを対象物2に照射するビーム調整系33と、光源34を制御する光源制御部32と、を備え、不純物元素を含み、光パルスの1回あたりの照射時間及び光パルスのエネルギー密度を考慮して決定された膜厚を有する不純物源膜4を固体材料からなる対象物2の表面に形成し、不純物源膜4に対して照射時間とエネルギー密度で光パルスを照射して、対象物に不純物元素を導入する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光パルスの1回あたりの照射時間及び前記光パルスのエネルギー密度を考慮して決定された膜厚で、不純物元素を含む不純物源膜を固体材料からなる対象物の表面上に堆積するステップと、前記光パルスを、前記照射時間及び前記エネルギー密度で前記不純物源膜に向けて照射するステップと、を含み、前記対象物に前記不純物元素を導入することを特徴とする不純物導入方法。

IPC (9件)：

H01L 21/22 , H01L 21/329 , H01L 29/868 , H01L 29/861 , H01L 29/872 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 29/47

FI (11件)：

H01L21/22 E , H01L29/91 A , H01L29/91 F , H01L29/86 301D , H01L29/78 652D , H01L29/78 652T , H01L29/78 658A , H01L29/78 658E , H01L29/48 F , H01L29/48 P , H01L29/48 D

Fターム (10件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104DD78 , 4M104FF32 , 4M104GG02 , 4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (12件)

特公昭47-012056
炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-217085 出願人：株式会社イオン工学研究所, 中嶋堅志郎, 江龍修
特開平1-316929

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