気相成長装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石川壽彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-160965
公開番号（公開出願番号）：特開2016-039225
出願日： 2014年08月07日
公開日（公表日）： 2016年03月22日
要約：

【課題】温度再現性に優れ、かつパーティクルによる基板汚染の問題や原料ガスの早期の熱分解の問題の生じない対向面部材及び/又はサセプタ上面カバーを備えた気相成長装置を得る。【解決手段】本発明に係る気相成長装置は、円盤状のサセプタ37と、サセプタ37の中心部に配置されて原料ガスを噴射する原料ガス導入ノズル33と、サセプタ37における基板保持部以外を覆うサセプタ上面カバー47と、サセプタ上面カバー47との間に所定の間隔を離して対向配置された円盤状の対向面部材1とを備えたものであって、対向面部材1は、対向面部材1の内周側を形成する対向面内側部材1aと、対向面内側部材1aの径方向外側であって少なくとも基板43が載置される部位の直上を含む部位を形成する対向面外側部材1bとを備えてなるものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応室内に配置されて基板を保持する円盤状のサセプタと、該サセプタの中心部に配置されて該サセプタの径方向に向けて原料ガスを噴射する原料ガス導入ノズルと、前記サセプタにおける基板保持部以外を覆うサセプタ上面カバーと、該サセプタ上面カバーとの間に所定の間隔を離して対向配置されて前記原料ガスの流路を形成する円盤状の対向面部材とを備えた気相成長装置であって、前記対向面部材は、該対向面部材の内周側を形成する対向面内側部材と、該対向面内側部材の径方向外側であって少なくとも前記基板が載置される部位の直上を含む部位を形成する対向面外側部材とを備えてなり、前記対向面内側部材は前記対向面外側部材よりも赤外線吸収率が小さい物質で形成され、前記対向面外側部材は、その熱膨張率が反応生成物の熱膨張率と近く、その差が30%以内である物質で形成されていることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/44 Z

Fターム (20件)：

4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030GA06 , 4K030KA02 , 4K030KA12 , 4K030KA46 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045BB15 , 5F045CA09 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045DP28 , 5F045EB03 , 5F045EB05 , 5F045EB06 , 5F045EC05

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-179222
特開昭61-274328
特開昭63-227783

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