選択成長方法および基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-220157
公開番号（公開出願番号）：特開2016-086145
出願日： 2014年10月29日
公開日（公表日）： 2016年05月19日
要約：

【課題】より微細な半導体装置構造への適応が可能な選択成長方法を提供すること。【解決手段】絶縁膜と金属とが露出している下地上に、薄膜を選択的に成長させる選択成長方法であって、下地の金属を触媒に用いて、下地の金属上に、燃焼により減膜する膜を選択的に成長させる工程(ステップ1)と、燃焼により減膜する膜を燃焼させながら、下地の絶縁膜上に、シリコン酸化物膜を選択的に成長させる工程(ステップ2)とを、具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜と金属とが露出している下地上に、薄膜を選択的に成長させる選択成長方法であって、 (1) 前記下地の金属を触媒に用いて、前記下地の金属上に、燃焼により減膜する膜を選択的に成長させる工程と、 (2) 前記燃焼により減膜する膜を燃焼させながら、前記下地の絶縁膜上に、シリコン酸化物膜を選択的に成長させる工程とを、具備することを特徴とする選択成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/42

FI (3件)：

H01L21/316 X , H01L21/31 B , C23C16/42

Fターム (31件)：

4K030AA02 , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA27 , 4K030BA45 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030DA04 , 4K030DA05 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030JA20 , 4K030KA22 , 4K030KA28 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AB07 , 5F045AB32 , 5F045DC69 , 5F045EE17 , 5F045EE19 , 5F058BC02 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF36 , 5F058BF37 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-291913
カーボンナノウォールの選択成長方法、およびカーボンナノウォールを用いた電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-059472 出願人：国立大学法人名古屋大学, NUエコ・エンジニアリング株式会社
特開昭60-249334

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