特許
J-GLOBAL ID：201403023025753300

カーボン膜の成膜方法および成膜装置

発明者：
大部 智行

大部 智行 について

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水永 覚

水永 覚 について

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大塚 武裕

大塚 武裕 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-101484
公開番号（公開出願番号）：特開2014-033186
出願日： 2013年05月13日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
要約：
【課題】 段差被覆性が良好で、かつ、従来の熱CVD法よりも低い温度でカーボン膜を成膜することが可能なカーボン膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】 カーボン膜が成膜される被処理基板を、成膜装置の処理室内に搬入する工程と(ステップ1)、処理室内において、炭化水素系カーボンソースガスを熱分解し、カーボン膜を被処理基板上に成膜する工程(ステップ2)とを具備し、ステップ2は、カーボン膜の成膜温度を、炭化水素系カーボンソースガス単体のプラズマアシストが無い状態での熱分解温度未満の温度とし、炭化水素系カーボンソースガスと、ハロゲン元素を含む熱分解温度降下ガスとを処理室内に導入し、ノンプラズマの熱CVD法にて行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理基板上に、カーボン膜を成膜するカーボン膜の成膜方法であって、 (1) カーボン膜が成膜される被処理基板を、成膜装置の処理室内に搬入する工程と、 (2) 前記処理室内において、炭化水素系カーボンソースガスを熱分解し、カーボン膜を前記被処理基板上に成膜する工程とを具備し、 前記(2)工程は、カーボン膜の成膜温度を、前記炭化水素系カーボンソースガス単体のプラズマアシストが無い状態での熱分解温度未満の温度とし、 前記炭化水素系カーボンソースガスと、ハロゲン元素を含む熱分解温度降下ガスとを前記処理室内に導入し、 ノンプラズマの熱CVD法にて行うことを特徴とするカーボン膜の成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/27
FI (3件)：
H01L21/314 A ,  H01L21/31 B ,  C23C16/27
Fターム (33件)：
4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BA29 ,  4K030BB05 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045BB17 ,  5F045CB06 ,  5F045DP19 ,  5F058BA09 ,  5F058BC20 ,  5F058BF04 ,  5F058BF26
引用特許：
審査官引用 (7件)
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