特許
J-GLOBAL ID：201603012660672485

パターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
小林 知洋

小林 知洋 について

, 
船津 顕之

船津 顕之 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-153256
公開番号（公開出願番号）：特開2014-016440
特許番号：特許第5846061号
出願日： 2012年07月09日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 3方向以上にポリマー鎖が伸びた分岐ポリマーと、必要によって酸発生剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜の所用部分を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/038 ( 200 6.01) ,  G03F 7/32 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/004 ( 200 6.01)
FI (4件)：
G03F 7/038 601 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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