特許
J-GLOBAL ID：201303060980444776

パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いる電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

発明者：
山口 修平

山口 修平 について

, 
高橋 秀知

高橋 秀知 について

, 
越島 康介

越島 康介 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (3件)： 高松 猛 ,  尾澤 俊之 ,  長谷川 博道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-090587
公開番号（公開出願番号）：特開2013-218223
出願日： 2012年04月11日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：
【課題】 超微細のスペース幅又は孔径(例えば、60nm以下)を有するパターンを、局所的なパターン寸法の均一性、露光ラチチュード、及び、ブリッジ前寸法が優れた状態で形成可能なパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いる電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。【解決手段】 (ア)塩基性を有する又は酸の作用によって分解して塩基性が増大する基を有する構造(I)と、前記構造(I)とは異なる、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する構造(II)とを有する、重量平均分子量が7000以上の樹脂(A)、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含有するパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(ア)塩基性を有する又は酸の作用によって分解して塩基性が増大する基を有する構造(I)と、前記構造(I)とは異なる、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する構造(II)とを有する、重量平均分子量が7000以上の樹脂(A)、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程 を含有するパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/038 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/038 601 ,  G03F7/32 ,  H01L21/30 502R
Fターム (58件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA11 ,  2H096EA04 ,  2H096EA23 ,  2H096GA03 ,  2H096JA08 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF21P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH14 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ41Y ,  2H125AJ52X ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ67Y ,  2H125AJ69X ,  2H125AM66P ,  2H125AM86P ,  2H125AM99P ,  2H125AN08P ,  2H125AN37P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN45P ,  2H125AN51P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125BA01P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125CD08P ,  2H125CD38 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05
引用特許：
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM