特許
J-GLOBAL ID：201603012884228009
III 族窒化物系化合物半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-144187
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011167
特許番号：特許第5983090号
出願日： 2012年06月27日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】III 族窒化物系化合物半導体から成る半導体層を形成する半導体形成工程と、
前記半導体層に電極を形成する電極形成工程と、
前記半導体層および前記電極の上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
を有するIII 族窒化物系化合物半導体装置の製造方法において、
前記電極形成工程は、
前記半導体層に2層以上の金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層形成工程の後に熱処理を行う熱処理工程と、
エッチング工程と、
を有し、
前記熱処理工程は、
2層以上の金属層のうちの最表層の金属層の表面を露出させた状態で、酸素を含む雰囲気中で行うことにより、前記最表層の金属層をAl層とAl2 O3 層の2層とする酸化物層形成工程であり、
前記エッチング工程では、
Cl2 を用いて前記絶縁膜の一部および前記Al2 O3 層の一部を除去して前記Al層の一部を露出させること
を特徴とするIII 族窒化物系化合物半導体装置の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 31/10 ( 200 6.01)
, H01L 33/00 ( 201 0.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 B
, H01L 29/80 F
, H01L 29/80 H
, H01L 29/78 301 B
, H01L 31/10 H
, H01L 33/00
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 658 F
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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