特許
J-GLOBAL ID：200903088834637170

窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子及びその製造方法

発明者：
佐藤 義浩

佐藤 義浩 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 松下 亮 ,  西山 善章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-085473
公開番号（公開出願番号）：特開2009-239144
出願日： 2008年03月28日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子における電極の半導体動作層とのオーミックコンタクト抵抗を飛躍的に低下させることにより、高耐圧大電流であって、且つ低損失の電力用の半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上14に少なくとも電子走行層15及び電子供給層18を有するヘテロ接合構造体を有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体動作層と、当該半導体動作層上に形成された少なくとも一つの電極と、を備えた半導体素子において、前記電極は、電子供給層18を通って電子走行層15に達するリセス部20に形成され、当該リセス部20は、その長手方向が前記半導体動作層15、18を流れる電流の方向に沿って形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも電子走行層及び電子供給層を有するヘテロ接合構造体を有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体動作層と、当該半導体動作層上に形成された少なくとも一つの電極と、を備えた半導体素子において、 前記電極は、前記電子供給層を通って前記電子走行層に達するリセス部に形成され、 前記リセス部は、当該リセス部の長手方向が前記半導体動作層を流れる電流の方向に沿って形成されたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41
FI (4件)：
H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L
Fターム (32件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG11 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GR15
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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