特許
J-GLOBAL ID：201603013475100439
ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
藤枡 裕実
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 後藤 直樹
, 伊藤 裕介
, 立石 英之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-089291
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219230
特許番号：特許第6019685号
出願日： 2012年04月10日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 被加工基板上に光硬化性樹脂層を形成し、前記光硬化性樹脂層に凹凸パターンを設けた光透過性のテンプレートを押し付け、前記テンプレートを介して光を照射して前記光硬化性樹脂層を硬化させ、前記テンプレートを前記硬化した光硬化性樹脂層から離型し、前記被加工基板上に前記硬化した光硬化性樹脂層を形成し、前記硬化した光硬化性樹脂層及び前記被加工基板をエッチングして、前記被加工基板に凹凸の転写パターンを形成するナノインプリント方法であって、
前記テンプレートが、第1の主面と第2の主面を有し、前記第1の主面が、周囲よりも高い凸状の段差構造を有し、前記段差構造に前記凹凸パターンを設けたパターン領域が形成されており、前記第1の主面に相対する前記第2の主面が、前記第1の主面のパターン領域と重なり、かつ、前記第1の主面のパターン領域よりも広い面積のくぼみを備え、
前記光硬化性樹脂層に前記テンプレートを押し付けるに際し、
前記テンプレートの前記くぼみを備えた領域の前記段差構造の領域外の少なくとも2箇所以上で、前記テンプレートの局所的な傾きまたは前記テンプレートと前記被加工基板との局所的な間隔を計測し、計測した前記傾きまたは前記間隔の大きさに基づいて前記押し付ける力を調節して、前記転写パターンの設計値からの位置ずれ量を低減させることを特徴とするナノインプリント方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, B29C 59/02 ( 200 6.01)
, B29C 33/30 ( 200 6.01)
H01L 21/30 502 D
, B29C 59/02 ZNM B
, B29C 33/30
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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