特許

J-GLOBAL ID：201603013480239542

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  宮入 秀和 ,  宮永 昭治 ,  秋元 健吾 ,  白石 康次郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-092856
公開番号（公開出願番号）：特開2016-167623
出願日： 2016年05月03日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
要約：

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置をバラツキなく作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型(ボトムゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いIn、Ga、及びZnを含むバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と重なる領域を有する、第1の酸化物半導体膜と、 前記第1の酸化物半導体膜が有するチャネル形成領域と重なる領域を有する、絶縁膜と、 前記第1の酸化物半導体膜上の、第2の酸化物半導体膜と、 前記第2の酸化物半導体膜上の、ソース電極又はドレイン電極と、を有し、 前記第2の酸化物半導体膜と、前記ソース電極又はドレイン電極とは、それぞれ、チタンを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 51/50

FI (7件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M ,  H05B33/14 A

Fターム (108件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC31 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107HH05 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD63 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH03 ,  4M104HH15 ,  5F110AA02 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK27 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HM02 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN13 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-345458   出願人：凸版印刷株式会社
• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-042575   出願人：三星電子株式会社