ダイヤモンド半導体デバイス

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (4件)：山田卓二 , 田中光雄 , 竹内三喜夫 , 中野晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-265640
公開番号（公開出願番号）：特開2016-127088
出願日： 2014年12月26日
公開日（公表日）： 2016年07月11日
要約：

【課題】p型ドーパントとしてホウ素(B)を用いても高エネルギー光子照射時に荷電粒子生成反応の影響を受けないダイヤモンド半導体デバイスを提供する。【解決手段】ダイヤモンド半導体デバイス100(電界効果トランジスタ)において、ダイヤモンドからなるp型領域2(エピタキシャル層)を有し、p型領域2のp型不純物は、10Bと11Bの2つの同位体を含むホウ素からなり、p型領域に含まれる同位体の濃度の比(10B/11B)は、同位体の天然存在比より小さい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドからなるp型領域を有し、該p型領域のp型不純物は、10Bと11Bの2つの同位体を含むホウ素からなり、該p型領域に含まれる該同位体の濃度の比(10B/11B)は、該同位体の天然存在比より小さいことを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。

IPC (8件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/872 , H01L 21/265 , C01B 31/06 , H01L 21/205

FI (7件)：

H01L29/80 B , H01L29/78 301B , H01L29/86 301D , H01L29/86 301M , H01L21/265 Z , C01B31/06 A , H01L21/205

Fターム (33件)：

4G146AA04 , 4G146AA17 , 4G146AB05 , 4G146AC27A , 4G146AD16 , 4G146AD17 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA14 , 4G146BA38 , 4G146BA45 , 4G146BC09 , 4G146BC25 , 4G146BC27 , 4G146BC33B , 4G146BC38B , 4G146BC45 , 5F045AA03 , 5F045AB07 , 5F045AC19 , 5F045CA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GR01 , 5F102GR12 , 5F102HC01 , 5F140AA00 , 5F140BA04 , 5F140BA16 , 5F140BB15 , 5F140BD11

引用特許：

審査官引用 (5件)

ダイヤモンド電子素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-014324 出願人：株式会社神戸製鋼所
特開昭60-183768
同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2013-524931 出願人：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド

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