炭化ケイ素半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-185715
公開番号（公開出願番号）：特開2016-058658
出願日： 2014年09月11日
公開日（公表日）： 2016年04月21日
要約：

【課題】炭化ケイ素半導体装置において、界面準位密度を増加させることなく、チャネル移動度を維持したまま、しきい値電圧の安定性を向上させること。【解決手段】炭化ケイ素半導体装置は、炭化ケイ素半導体上に、1層または2層以上の窒化膜もしくは酸窒化膜でできた絶縁膜を有する。炭化ケイ素半導体と絶縁膜との界面には、窒素及び水素がともに1×1020/cm3以上の濃度で存在する。絶縁膜中の水素濃度は、5×1019/cm3以下である。このような炭化ケイ素半導体装置は、亜酸化窒素または一酸化窒素を含むガス雰囲気で熱酸化処理を行って炭化ケイ素半導体上に絶縁膜を設ける工程と、水素を含むガス雰囲気でPOA処理を行い、POA処理の処理温度よりも低い温度で不活性ガス雰囲気で保持した後、不活性ガス雰囲気で降温する工程と、を含む方法により製造される。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素半導体上に、1層または2層以上の窒化膜もしくは酸窒化膜でできた絶縁膜を有し、前記炭化ケイ素半導体と前記絶縁膜との界面に窒素及び水素がともに1×1020/cm3以上の濃度で存在し、かつ、前記絶縁膜中の水素濃度が5×1019/cm3以下であることを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/318

FI (8件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L29/78 652K , H01L27/04 C , H01L21/318 C , H01L21/318 M

Fターム (44件)：

5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC17 , 5F038EZ01 , 5F038EZ02 , 5F038EZ13 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F058BA11 , 5F058BB01 , 5F058BB10 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF56 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BF64 , 5F058BF65 , 5F058BJ01 , 5F140AA06 , 5F140BA02 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD09 , 5F140BE06 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK22 , 5F140BK25 , 5F140BK38 , 5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (4件)

炭化珪素半導体装置およびその製造方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-162448 出願人：株式会社デンソー
半導体装置の製造における熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-273393 出願人：三菱電機株式会社
炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-297088 出願人：住友電気工業株式会社

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