特許
J-GLOBAL ID：201603014782504373

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
阿部 貴征

阿部 貴征 について

, 
宍戸 英明

宍戸 英明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-151932
公開番号（公開出願番号）：特開2016-201566
出願日： 2016年08月02日
公開日（公表日）： 2016年12月01日
要約：
【課題】薄膜トランジスタの製造工程における不特定な要因によって、しきい値電圧がマイナス側、或いはプラス側にシフトすることがある。0Vからシフトする値が大きい場合には、駆動電圧の増大を招き、結果として半導体装置の消費電力を増加させてしまう。【解決手段】酸化物半導体層を覆う第1の保護絶縁膜として平坦性のよい樹脂層を形成した後、樹脂層上に第2の保護絶縁膜としてスパッタ法またはプラズマCVD法を用いて低パワー条件で成膜される第2の保護絶縁膜を形成する。さらに、しきい値電圧を所望の値に制御するため、酸化物半導体層の上下にゲート電極を設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上方の第1の導電膜と、 前記第1の導電膜上方の、第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上方の、酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域に接する領域を有する、第2の絶縁膜と、 前記酸化物半導体膜上方の、ソース電極と、 前記酸化物半導体膜上方の、ドレイン電極と、 前記第2の絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有する第2の導電膜と、 前記第2の導電膜上方の、第3の絶縁膜と、 前記第3の絶縁膜上方の、第3の導電膜と、を有し、 前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、 前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、 前記第1の導電膜は、前記酸化物半導体膜と、前記第2の絶縁膜と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と、前記第2の導電膜と、前記第3の導電膜と重なる領域を有し、 前記第3の導電膜は、光を反射又は遮蔽することができる導電性材料を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (6件)：
H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 619B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (82件)：
3K107AA01 ,  3K107AA07 ,  3K107AA08 ,  3K107AA09 ,  3K107BB01 ,  3K107CC33 ,  3K107CC35 ,  3K107CC43 ,  3K107EE04 ,  3K107FF15 ,  3K107HH02 ,  3K107HH05 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE25 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN15 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN39 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN48 ,  5F110NN49 ,  5F110NN50 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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