特許
J-GLOBAL ID：201603014972238394
半導体用途のための結晶化処理
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-240886
公開番号（公開出願番号）：特開2014-088310
特許番号：特許第5954795号
出願日： 2013年11月21日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の処置ゾーンを識別することと、
前記第1の処置ゾーンの表面を第1のレーザパルス及び第2のレーザパルスに順番にさらすことによって前記第1の処置ゾーンの溶融区域を形成することと、
前記第1の処置ゾーンを複数の他のレーザパルスにさらしながら前記第1の処置ゾーンの溶融区域を再結晶化することであって、前記複数の他のレーザパルスの各パルスは再結晶化区域の一部を溶融する、再結晶化することと、
前記第1の処置ゾーン近傍の第2の処置ゾーンを識別することと、
溶融区域の形成と、前記第2の処置ゾーンとの前記溶融区域の再結晶化を繰り返すこと
とを含み、前記第1のレーザパルスと前記第2のレーザパルスとの間の期間が、前記溶融区域の一部が再凝固するのに必要な時間より短い、基板処置方法。
IPC (5件)：
C30B 13/24 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/268 ( 200 6.01)
, H01L 31/18 ( 200 6.01)
, H01L 33/16 ( 201 0.01)
C30B 13/24
, H01L 21/20
, H01L 21/268 J
, H01L 21/268 T
, H01L 31/04 420
, H01L 33/16
