大きなメッシュの部分一括露光方式電子線リソグラフィ方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-019046
公開番号（公開出願番号）：特開2016-171309
出願日： 2016年02月03日
公開日（公表日）： 2016年09月23日
要約：

【課題】描画時間、そしてしたがってショットの回数および持続時間を削減する。【解決手段】本発明は、セルの投影に基づいたリソグラフィ方法、顕著には直接描画電子線リソグラフィに適用される。従来技術におけるこの種の方法の主な制限の1つは、描画時間である。この制限を克服するために、本発明の方法によれば、セルの寸法をリソグラフィ装置の最大アパーチャまで増加させる。有利には、この寸法増加は、エッチングすべき基板に近い投影ステンシルレベルのアパーチャの寸法を修正することにより得られる。有利には、工程エネルギー自由度を最適化するように計算した線量が照射される、エッチングすべきブロックの外側にストリップを付け加える。有利には、このストリップをエッチングすべきブロックの端部から離して配置する。有利には、投影したセルは隣接していない。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

樹脂被覆基板への少なくとも1つのブロックの投影のプロセスに基づいた照射リソグラフィ方法であって、前記ブロックを前記基板に投影すべき個々のセルに分割するステップと、照射源によって前記セルを形成するステップとを含み、前記個々のセルのメッシュを前記プロセスの最大アパーチャにより特定の寸法に合わせる方法であり、

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (2件)：

H01L21/30 541Q , H01L21/30 541M

Fターム (5件)：

5F056AA04 , 5F056CB07 , 5F056CD11 , 5F056CD16 , 5F056EA04

引用特許：

審査官引用 (6件)

近接効果補正方法及びこれに用いられる補正用レチクル
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-364210 出願人：株式会社ニコン
電子ビ-ム投影装置およびその動作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-021110 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置を基板上に製造するための方法、荷電粒子ビームリソグラフィのための断片化またはマスクデータ準備のための方法、複数の円形パターンを表面上に形成するための方法およびシステム、ならびに荷電粒子ビームリソグラフィで用いるための断片化またはマスクデータ準備のためのシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-200191 出願人：ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド

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