特許
J-GLOBAL ID：201003093232749967
半導体装置を基板上に製造するための方法、荷電粒子ビームリソグラフィのための断片化またはマスクデータ準備のための方法、複数の円形パターンを表面上に形成するための方法およびシステム、ならびに荷電粒子ビームリソグラフィで用いるための断片化またはマスクデータ準備のためのシステム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-200191
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062562
出願日： 2009年08月31日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】フォトマスクおよび光リソグラフィを用いて半導体装置を製造するための方法を開示する。【解決手段】荷電粒子ビーム書込装置を用いて製造されたフォトマスク上の円形パターンを用いることにより、半導体ウェハ上の円形パターンが形成される。一実施例では、荷電粒子ビーム線量を変えることにより、さまざまなサイズの円形パターンが、単一の文字投影(CP)用文字を用いてフォトマスク上に形成されている。円形のCP用文字をさまざまな放射線量で用いて、またはVSBショットを用いて円形パターンを断片化するための方法および表面上に円形パターンを形成するための方法も開示され、複数のVSBショットの結合は1セットの所望のパターンとは異なっている。グリフを作成するための方法も開示され、1つ以上の荷電粒子ビームショットから生じる放射線量マップが予め計算されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体装置を基板上に製造するための方法であって、
フォトマスクを設けるステップを含み、フォトマスクは円形パターンを含み、フォトマスクは荷電粒子ビームシステムを用いて製造されたものであり、前記方法はさらに、
フォトマスクの円形パターンを用いて複数の円形パターンを基板上に形成するために、光リソグラフィを用いるステップを含む、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20
H01L21/30 541S
, G03F1/08 A
, G03F7/20 521
, H01L21/30 515F
, H01L21/30 516Z
2H095BA01
, 2H095BA02
, 2H095BB01
, 2H095BB07
, 5F046AA25
, 5F046BA03
, 5F046CB17
, 5F056AA06
, 5F056AA22
, 5F056FA05
