特許
J-GLOBAL ID:200903021370222935

荷電粒子ビーム描画装置、パターン寸法のリサイズ装置、荷電粒子ビーム描画方法及びパターン寸法のリサイズ方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 松山 允之 ,  池上 徹真
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-195459
公開番号(公開出願番号):特開2009-032904
出願日: 2007年07月27日
公開日(公表日): 2009年02月12日
要約:
【目的】ローディング効果に起因する寸法変動を高精度に補正する装置及び方法を提供することを目的とする。【構成】本発明の描画装置100は、描画対象となる試料101の描画領域全体のパターン密度を計算するマスク密度計算部124と、描画領域全体のパターン密度とローディング効果係数との相関テーブル142から試料101の描画領域全体のパターン密度に対応するローディング効果係数を取得するローディング効果係数取得部126と、取得されたローディング効果係数を用いて、パターンの寸法変動量を計算する寸法変動量計算部128と、寸法変動量を補正する照射量で、試料101に電子ビーム200を照射して、試料101に所定のパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、ローディング効果に起因する寸法変動を高精度に補正することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
描画データに基づいて、描画対象となる試料の描画領域全体のパターン密度を計算するパターン密度計算部と、 前記試料の描画領域全体のパターン密度とローディング効果係数との相関関係情報を記憶する記憶部と、 前記相関関係情報から前記試料の描画領域全体のパターン密度に対応するローディング効果係数を取得する取得部と、 取得された前記ローディング効果係数を用いて、パターンの寸法変動量を計算する寸法変動量計算部と、 前記寸法変動量を補正する照射量で、前記試料に荷電粒子ビームを照射して、前記試料に所定のパターンを描画する描画部と、 を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (2件):
H01L21/30 541E ,  G03F7/20 504
Fターム (6件):
2H097BB01 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F056AA04 ,  5F056CA13 ,  5F056CD11
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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