特許
J-GLOBAL ID：201603015478804502
不揮発機能メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
木村 満
, 佐藤 浩義
, 毛受 隆典
, 森川 泰司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-068832
公開番号（公開出願番号）：特開2013-200920
特許番号：特許第6004465号
出願日： 2012年03月26日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の接続点に一端を接続されるとともにそれぞれのゲートが第1及び第2のサーチラインに接続された選択用の第1MOSトランジスタ及び第2MOSトランジスタと、該第1MOSトランジスタ及び該第2MOSトランジスタの他端にそれぞれその一端が接続され、その他端がビットライン又はGNDに接続されている第2の接続点に接続されたスピン注入型の第1のMTJ素子及び第2のMTJ素子と、該第1のMTJ素子及び該第2のMTJ素子のそれぞれの一端に接続されるとともにそのゲートがそれぞれワードラインに接続され、MTJ素子への書き込みを行う第3MOSトランジスタ及び第4MOSトランジスタと、マッチラインとGNDとの間に配置された第5MOSトランジスタと、該第1の接続点と該第5MOSトランジスタのゲートとの間に配置されたセンスアンプとを備えた不揮発TCAMセル。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C 15/04 601 R
, G11C 15/04 C
出願人引用 (3件)
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特許第8023299号
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連想記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2010-235522
出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
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不揮発機能メモリ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2012-007375
出願人：国立大学法人東北大学
審査官引用 (5件)
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引用文献：
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