特許
J-GLOBAL ID：201603015506721014
半導体発光素子
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
特許業務法人 津国
, 津国 肇
, 柳橋 泰雄
, 小澤 圭子
, 柴田 明夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-229818
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082364
特許番号：特許第5974808号
出願日： 2012年10月17日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1主面と、第2主面と、前記第1主面及び前記第2主面に接する側面とを備え、かつサファイアからなる透光性基板と、前記透光性基板の第1主面側に形成される半導体層と、を有する半導体発光素子であって、
前記透光性基板の第2主面に接して形成され、かつAgからなる第1金属層と、
前記第1金属層の周囲において、少なくとも前記透光性基板の第2主面又は側面に接して形成される第2金属層と、
前記第2金属層上に形成される第3金属層と、を有し、
前記第1金属層は、前記第2金属層よりも前記発光層の発光ピーク波長に対する反射率が高く、
前記第2金属層は、前記透光性基板との密着力が、前記第1金属層と前記透光性基板との密着力より大きいことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
前のページに戻る
