特許
J-GLOBAL ID：200903057368969351

窒化物半導体発光ダイオード

発明者：
高野 剛志

高野 剛志 について

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城市 隆秀

城市 隆秀 について

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岡川 広明

岡川 広明 について

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平岡 晋

平岡 晋 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-078460
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258327
出願日： 2006年03月22日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】外部電極との電気的接続をハンダを介して行うのに適したn型窒化物半導体用の電極を備えた、GaN系LEDを提供することを目的とする。【解決手段】窒化物半導体発光ダイオードは、n型窒化物半導体層121と、該n型窒化物半導体層上に形成された電極P110とを有し、電極P110はハンダを介して外部電極に電気的に接続される。電極P110は、n型窒化物半導体層121と接するTi-W合金層P111を含んでいる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層と、該n型窒化物半導体層上に形成された電極とを有し、該電極がハンダを介して外部電極に電気的に接続される窒化物半導体発光ダイオードにおいて、 該電極が該n型窒化物半導体層と接するTi-W合金層を含むことを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (7件)：
5F041CA40 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (5件)
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